На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ | |
Номер публикации патента: 2079212 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H05K003/46 | Аналоги изобретения: | Гребенкина В.Г. и др. Толстопленочная микроэлектроника.- Киев: Наукова думка, 1983, с. 81 - 86. 2. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем микропроцессоров и микросборок.- М.: Радио и связь, 1989, с. 174 - 176. |
Имя заявителя: | Марков Валентин Викторович | Изобретатели: | Марков Валентин Викторович Плаксин Геннадий Арсеньевич Салтыков Вячеслав Вениаминович Тикменов Василий Николаевич | Патентообладатели: | Марков Валентин Викторович Плаксин Геннадий Арсеньевич Салтыков Вячеслав Вениаминович Тикменов Василий Николае |
Реферат | |
Применение: изобретение относится к микроэлектронике, в частности к изготовлению гибридных интегральных схем (ГИС). Сущность изобретения: одновременно на поверхности многоуровневой ГИС могут монтироваться электрорадиоэлементы как пайкой, так и сваркой. На поверхность диэлектрической подложки формируют проводники и контактные площадки (КП) первого уровня, облуживают (покрывают припоем) КП. Затем на рисунок схемы первого уровня наносят слой фольгированного полиимида, в котором со стороны полиимида выполняют отверстия в местах расположения КП, а из фольги выполняют проводники и КП второго уровня. КП второго уровня также облуживают и проводят соединение КП первого и второго уровней пайкой. После чего на временном основании формируют рисунок КП второго уровня, выполненный из алюминия с подслоем никеля и меди, и соединяют КП, выполненные на временном основании, с КП второго уровня, после чего временное основание удаляют. Образование межслойных соединений проводят пайкой и дополнительно одновременно с соединением КП первого и второго уровней на поверхность КП второго уровня наносят слой фольгированного алюминием полиимида с подслоями хрома и меди, после чего полиимид удаляют. 2 з. п. ф-лы, 14 ил.
|