На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ ИЗ РАСПЛАВА | |
Номер публикации патента: 2200775 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | C30B015/00 | Аналоги изобретения: | US 5972106 А, 26.10.1999. SU 141629 А, 23.02.1961. SU 786110 А1, 23.01.1993. GB 2084046 А, 07.04.1982. GB 2182262 А, 13.05.1987. US 5968264 А, 19.10.1999. ЕР 0425837 А1, 08.05.1991. |
Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "Пиллар" (UA) | Изобретатели: | Берингов Сергей Борисович (UA) Руденко Сергей Васильевич (UA) Шульга Юрий Григорьевич (UA) | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "Пиллар" (UA) |
Реферат | |
Изобретение предназначено для полупроводниковой промышленности. В кварцевый тигель загружают поликристаллический кремень. Устанавливают цилиндрический экран диаметром 235-240 мм соосно выращиваемому монокристаллу, нижний конец которого размещают над плоскостью расплава на высоте h, определяемой по формуле h=(А-D)/В, где D - заданный диаметр выращиваемого слитка монокристалла кремния, равный 76-150 мм; А - размерный коэффициент 210-240, В - коэффициент 4,6-5,0.
|