На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГИПОТИОФОСФАТА ОЛОВА SN2P2S6 ИЛИ ОРТОТИОФОСФАТА ИНДИЯ INPS4 | |
Номер публикации патента: 2089491 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | C01B025/00 | Аналоги изобретения: | 1. Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 23, N 5, 1987, с. 733 - 738. 2. J. Appl. Phys., A30, N 2, 1983, р. 109 - 115. 3. Патент США N 4579724, кл. 423 - 303, 1986. 4. Z. anorg. und allg. Shem., 356, N 3 - 4, 1968, р. 189 - 194. 5. Mat. Res. Bull., N 9, 1974, р.401 - 410. 6. Патент США N 4267157, кл. 423 - 303, 1981. 7. J. Raman Spectsoss. 17, N 3, 1986, р. 257 - 261. |
Имя заявителя: | Ростовский государственный университет | Изобретатели: | Свирская С.Н. Нестеров А.А. Рыбина И.Н. Лупейко Т.Г. Проценко Н.П. Рогач Е.Д. | Патентообладатели: | Ростовский государственный университет |
Реферат | |
Изобретение относится к способу получения гипотиофосфата олова (II) и ортотиофосфата индия (III), которые могут использоваться полупроводниковой, пьезоэлектрической и радиоэлектронной техникой. С целью удешевления процесса синтеза и его реализации с использованием нового сочетания исходных реагентов во взаимодействие с сульфидом фосфора и серой при нагревании на воздухе вводят оксиды металлов. Процесс проводят в две стадии с выдержкой по 20-30 мин на каждой стадии с промежуточным охлаждением по комнатной температуре и измельчением продукта. Синтез тиофосфата олова проводят при 450-550 oC, а тиофосфата индия - при 350-450 oC. Выход тиофосфатов составляет 98 %. Новый способ позволяет удешевить процесс синтеза гипотиофосфата олова в 5,8 раза, а ортотиофосфата индия - в 1,4 раза за счет использования более дешевых исходных реагентов. Тонкие пленки (h≈5-8 мкм), напыленные из синтезированного по предложенному способу, имеют при объемном возбуждении на низких частотах пьезочувствительность γ ~ 5,6-6,0·10-7 В/Па и относительную диэлектрическую проницаемость εт@33/ε0~ 360-400. 4 табл.
|