|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КАНТИЛЕВЕРА СКАНИРУЮЩЕГО ЗОНДОВОГО МИКРОСКОПА |  |
Номер публикации патента: 2125234 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01B007/34 | | Дополн. коды МПК: | G01B105/22 | | Аналоги изобретения: | A. Boisen et al. AFM probes with directle fabricated tips. J. Micromech. Microeng., 1996, N 6, p. 58 - 62. EP 0413040 A1, 20.09.91. US 5239863 A, 31.08.91. US 5264696 A, 23.11.93. US 5386110 A, 31.05.95. EP 0646787 A1, 05.04.95. RU 2020405 C1, 30.09.94. RU 94026546 A1, 27.01.96. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "НТ-МДТ" | | Изобретатели: | Быков В.А.
Гологанов А.Н. | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "НТ-МДТ"
Закрытое акционерное общество "Силикон-МДТ" |
Реферат | |
Изобретение относится к области сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии. На кремниевой подложке формируют 1-е защитное покрытие на основе нитрита кремния. Из него формируют локальную нитридную маску и проводят анизотропное травление кремния до формирования на подложке иглообразного выступа. Удаляют локальную нитридную маску и 1-е защитное покрытие. Формируют с обеих сторон подложки слой двуокиси кремния толщиной не менне 0,3 мкм. На нижней стороне подложки формируют слой 2-го защитного покрытия на основе нитрида кремния. На нижней стороне подложки формируют локальные нитридную и окисную маски. Проводят анизотропное травление кремния с нижней стороны подложки до его полного удаления в участках, не защищенных с нижней стороны подложки локальной нитридной маской. Удаляют с нижней стороны подложки локальные нитридную и окисную маски. Формируют на нижней стороне подложки слой прочного малонапряженного материала толщиной от 0,2 до 5 мкм. В качестве него формируют слой нитрида кремния. Также в качестве него может быть сформирован слой на основе последовательного осаждения пленок нитрида титана и нитрида кремния с соотношением толщин пленок не менее 1:100. Фотолитографически формируют на верхней стороне подложки фоторезистивную маску толщиной, большей чем высота иглообразного выступа. Проводят селективное травление с верхней стороны подложки слоя двуокиси кремния и слоя прочного малонапряженного материала. Удаляют фоторезистивную маску. Удаляют с верхней стороны подложки слой двуокиси кремния. Способ позволяет изготовить кантилеверы со сверхострой иглой из материала, более прочного чем кремний, а также позволяет изготовить проводящие прочные кантилеверы со сверхострой иглой. 2 з.п. ф-лы, 12 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента