US 5599464 А, 04.02.1997. US 6016684 А, 25.01.2000. US 6146541 А, 14.11.2000. US 6218264 В1, 17.04.2001. WO 9908065 А1, 18.02.1999. DE 10236150 А1, 26.02.2004. RU 2095761 С1, 10.11.1997.
Имя заявителя:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU)
Изобретатели:
Щеглов Дмитрий Владимирович (RU) Косолобов Сергей Сергеевич (RU) Родякина Екатерина Евгеньевна (RU) Латышев Александр Васильевич (RU)
Патентообладатели:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU)
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для усовершенствования работы инструментов, измеряющих высоту рельефа поверхности, и для сертификации высотных стандартов. Сущность изобретения: в способе изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии полупроводниковую пластину кремния с вицинальной поверхностью помещают в вакуум, проводят термоэлектрический отжиг, пропуская через пластину постоянный электрический ток величиной, вызывающей резистивный нагрев до температуры активируемой сублимации атомов верхнего слоя с передвижением по поверхности моноатомных ступеней. Ток пропускают параллельно вицинальной поверхности между верхней и нижней террасами, в направлении от нижней террасы к верхней или в сочетании, сначала в направлении от верхней террасы к нижней, а затем от нижней террасы к верхней. При этом формируют области на поверхности пластины с высокой плотностью ступеней и обеспечивают появление равномерно распределенных по поверхности одиночных ступеней, разделенных террасами. За счет этого стандартом достигают воспроизводимости измерений, повышают точность определения высоты особенностей рельефа и снижают погрешность измерений. 9 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента