Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МОЩНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР

Номер публикации патента: 1347825

Вид документа: 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 3849079 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/73    
Аналоги изобретения: Bipolars Ready for S Band Radar Microwaue Systems News, 1981, 11, N 7, р.100-103. 

Имя заявителя: Диковский В.И. 
Изобретатели: Диковский В.И. 
Патентообладатели: Научно-исследовательский институт "Пульсар" 

Реферат


Изобретение относится к конструкциям мощных СВЧ-транзисторов. Целью изобретения является снижение потерь выходной мощности и увеличение КПД путем повышения равномерности согласования выхода. Транзисторный кристалл выполнен на эпитаксиальной пленке nn+ кремния, через коллекторный электрод соединен с держателем. Транзистор содержит два звена согласования выхода, состоящих из ленточных индуктивных элементов, причем индуктивные элементы первого звена согласования расположены перпендикулярно плоскости внутреннего коллекторного электрода. Индуктивные элементы первого звена согласования установлены в углублении, выполненном в общем электроде. Транзистор при входной мощности 20 Вт отдает в нагрузку 107 Вт при КПД коллекторной цепи 51,6%. Контрольное измерение при оборванной цепи первого звена согласования выхода показало, что выходная мощность составила 109 Вт при КПД коллекторной цепи 52,6%, т.е. потери не превышают 2%. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"