На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ПЛАНАРНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С ВЫСОКИМ НАПРЯЖЕНИЕМ ПРОБОЯ

Номер публикации патента: 1827148

Вид документа:  A3  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  4932044		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: изобретение относится к области полупроводникового производства, а именно к конструкции планарного полупроводникового прибора с высоким напряжением пробоя. Сущность: планарный полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя содержит в высокоомном слое первого типа проводимости по крайней мере одну базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области с постоянными глубиной Н и степенью легирования Ns и периферийной подобласти шириной L, окружающей указанную центральную подобласть, глубина и степень легирования которой постепенно уменьшаются в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя р-n-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, имеет кольцевую базовую металлизацию шириной а, расположенную над частью периферийной подобласти базы и находящуюся на расстоянии l от места выхода на поверхность высокоомного слоя р-n-перехода, где величина l соответствует минимальной ширине области пространственного заряда в приповерхностной части базы, необходимой и достаточной для обеспечения требуемого напряжения пробоя и определяется углом наклона указанного р-n-перехода к поверхности высокоомного слоя.Новым в конструкции полупроводникового прибора является то, что периферийная подобласть баpы состоит по крайней мере из двух зон с различными коэффициентами кривизны γ₁ и γ₂ в которых р-n-переход имеет различный угол наклона к поверхности высокоомного слоя, а именно, угол α₁ для первой зоны, прилегающей к центральной подобласти базы, и угол α₂ для второй зоны, прилегающей к поверхностной границе р-n-перехода, причем первая зона имеет ширину L1 = а и коэффициент кривизны γ₁= ctg α₁, а вторая зона имеет ширину L2 = 1 и коэффициент кривизны γ₂=ctg α₂, где значение коэффициента кривизны γ₂ обусловлено необходимостью обеспечения требуемой ширины l области пространственного заряда в приповерхностной части базы, а значение коэффициента кривизны 1<γ₁< γ₂ и соответствует величине γ₁=γ₂a/γ₂H-l, где а - ширина кольцевой базовой металлизации, оптимальная при данной конструкции полупроводникового прибора. 2 ил.

Вернуться к списку