US 6229153 B1, 08.05.2001. US 6909108 B2, 21.07.2005. US 6469315 В1, 22.10.2002. JP 8116074 A, 07.05.1996. JP 6302837 A, 28.10.1994. JP 63124578 A, 28.05.1988. SU 1559993 А1, 09.08.1995.
Имя заявителя:
Федоров Игорь Борисович (RU), Шашурин Василий Дмитриевич (RU), Иванов Юрий Александрович (RU), Мешков Сергей Анатольевич (RU), Гармаш Виктор Федосеевич (RU), Федоренко Иван Александрович (RU), Леушин Виталий Юрьевич (RU), Башков Валерий Михайлович (RU), Федоркова Нина Валентиновна (RU)
Изобретатели:
Федоров Игорь Борисович (RU) Шашурин Василий Дмитриевич (RU) Иванов Юрий Александрович (RU) Леушин Виталий Юрьевич (RU) Мешков Сергей Анатольевич (RU) Гармаш Виктор Федосеевич (RU) Федоренко Иван Александрович (RU) Башков Валерий Михайлович (RU) Федоркова Нина Валентиновна (RU)
Патентообладатели:
Федоров Игорь Борисович (RU) Шашурин Василий Дмитриевич (RU) Иванов Юрий Александрович (RU) Мешков Сергей Анатольевич (RU) Гармаш Виктор Федосеевич (RU) Федоренко Иван Александрович (RU) Леушин Виталий Юрьевич (RU) Башков Валерий Михайлович (RU) Федоркова Нина Валентиновна (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выполненных из AlyGa1-yAs, где у - молярная доля Al, и расположенной между ними потенциальной ямы, различающихся шириной запрещенной зоны и толщиной слоя, потенциальная яма выполнена из GaAs и при концентрации Si в контактных областях 7×1018-10×1018 1/см3 толщина слоя ямы составляет от 6 до 14 атомарных слоев, молярная доля Al в барьерных слоях составляет от 0,4 до 1, толщина барьера составляет от 6 до 30 атомарных слоев. Изобретение позволяет обеспечить создание смесительного диода с формой вольт-амперной характеристики, обеспечивающей расширение рабочей полосы частот при одновременном увеличении динамического диапазона и уменьшении потерь преобразования смесителя. 2 ил.