US 3890698 A, 24.06.1975. US 2006118900 A1, 08.06.2006. WO 2006/055738 A2, 26.05.2006. WO 9416462 A1, 21.07.1994. US 6603185 B1, 05.08.2003. US 5714396 A, 03.02.1998. RU 2321102 C1, 27.03.2008. SU 1827147 A3, 27.06.1996.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Воронежский завод полупроводниковых приборов - Сборка" (RU), Бубукин Борис Михайлович (RU), Кастрюлёв Александр Николаевич (RU), Рязанцев Борис Георгиевич (RU)
Изобретатели:
Бубукин Борис Михайлович (RU) Кастрюлёв Александр Николаевич (RU) Рязанцев Борис Георгиевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Воронежский завод полупроводниковых приборов - Сборка" (RU) Бубукин Борис Михайлович (RU) Кастрюлёв Александр Николаевич (RU) Рязанцев Борис Георгиевич (RU)
Реферат
Изобретение относится к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к высоковольтным полупроводниковым приборам. Сущность изобретения: в периферии полупроводникового прибора, содержащей периферийный P-N-переход кольцевого типа, покрытый диэлектрической пленкой и окруженный над диэлектрической пленкой спиральной токопроводящей пленкой с диодами Зенера, концы спирали подсоединены к Р- и N-областям перехода на поверхности полупроводникового прибора, спираль токопроводящей пленки с диодами Зенера имеет расстояние между витками, выбранное из заданного условия. Техническим результатом изобретения является нейтрализация влияния зарядов на стабильность обратных утечек и пробивного напряжения. 5 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента