Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ

Номер публикации патента: 2455730

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010139858/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/04    
Аналоги изобретения: JP 2003179241 А1, 27.06.2003. JP 2004260014 A, 26.09.1995. UA 77251 C2, 15.11.2006. RU 2001131679 A, 27.08.2003. 

Имя заявителя: УЛВАК, ИНК. (JP) 
Изобретатели: ВАТАИ Мива (JP)
САЙТО Казуя (JP)
КОМАЦУ Такаси (JP)
ИДЕ Йосио (JP)
АСАРИ Син (JP)
МИЗУНО Юсуке (JP)
ШИМИЗУ Михо (JP) 
Патентообладатели: УЛВАК, ИНК. (JP) 
Приоритетные данные: 25.04.2008 JP 2008-115981 

Реферат


Солнечный элемент содержит: подложку, обладающую оптической прозрачностью; предусмотренный на подложке фотоэлектрический преобразователь, включающий в себя передний электрод, обладающий оптической прозрачностью, слой фотоэлектрического преобразования и тыльный электрод, обладающий светоотражающей способностью; и низкопреломляющий проводящий слой, выполненный из проводящего материала, обладающего оптической прозрачностью, прилегающий к слою фотоэлектрического преобразования и расположенный на противоположной подложке стороне слоя фотоэлектрического преобразования. Причем низкопреломляющий проводящий слой предусмотрен между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом. Между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом предусмотрен только этот низкопреломляющий проводящий слой. Толщина низкопреломляющего проводящего слоя составляет от 40 нм до 80 нм, а показатель преломления низкопреломляющего проводящего слоя составляет от 1,4 до 2,0 относительно длины волны от 450 нм до 1000 нм. Изобретение обеспечивает возможность улучшить коэффициент отражения на границе раздела между низкопреломляющим проводящим слоем и слоем фотоэлектрического преобразования и возможность сдерживать увеличение технологических процессов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"