

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ПОЛНОСТЬЮ ОПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР (ВАРИАНТЫ)

Номер публикации патента: 2477503

Вид документа:	C2
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2011123202/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	G02F001/017 G02F001/19
Аналоги изобретения:	US 4335939 А, 21.06.1994. US 2005058415 А1, 17.03.2005. US 2007035800 A1, 15.02.2007. RU 2105389 C1, 20.02.1998.

Имя заявителя:	Государственное научное учреждение "Институт физики имени Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси" (BY)
Изобретатели:	Станкевич Вячеслав Витальевич (BY) Ермоленко Максим Васильевич (BY) Буганов Олег Васильевич (BY) Тихомиров Сергей Александрович (BY) Гапоненко Сергей Васильевич (BY) Кузнецов Петр Иванович (RU) Якушева Галина Георгиевна (RU) Шуленков Алексей Серафимович (BY)
Патентообладатели:	Государственное научное учреждение "Институт физики имени Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси" (BY)

Реферат

Устройство относится к квантовой электронике, а именно к системам для модуляции излучения лазера в заданном спектральном диапазоне. Полностью оптический модулятор лазерного излучения на основе многослойных гетероструктур содержит подложку с выращенной периодической многослойной гетероструктурой, которая изготовлена таким образом, что изменение показателя преломления под воздействием возбуждающего лазерного излучения в активном нелинейном полупроводниковом компоненте гетероструктуры за счет генерации плотной электронно-дырочной плазмы вызывает изменение интенсивности модулируемого падающего излучения. В подложке выполнено оптическое окно. Центральный слой активного компонента периодической многослойной гетероструктуры выполнен удвоенной толщины по отношению к другим слоям активного компонента гетероструктуры. Активный нелинейный компонент многослойной гетероструктуры выбран из группы полупроводниковых соединений A^IIB^VI или A^IIIB^V . Технический результат заключается в повышении эффективности и быстродействия модулятора. 4 н. и 8 з.п. ф-лы, 7 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"