|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ РОГОВИЧНЫХ ОСЛОЖНЕНИЙ ПОСЛЕ ХИРУРГИЧЕСКИХ ВМЕШАТЕЛЬСТВ НА ГЛАЗНОМ ЯБЛОКЕ У БОЛЬНЫХ САХАРНЫМ ДИАБЕТОМ |  |
Номер публикации патента: 2177711 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | A61B003/107 | | Аналоги изобретения: | КРАСНОВИД Т.А. Кератопахометрия в норме и после экстракции катаракты. VIII-ой съезд офтальмологов Украинской ССР. Тезисы докладов. Одесса, 1990, с.248-249. RU 2092842 С1, 10.10.1997. RU 2025733 С1, 30.12.1994. |
| Имя заявителя: | Государственное учреждение Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" | | Изобретатели: | Диденко Т.Н.
Смолякова Г.П. | | Патентообладатели: | Государственное учреждение Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" |
Реферат | |
Изобретение относится к медицине, а именно к офтальмологии, и может быть использовано для прогнозирования роговичных осложнений после хирургических вмешательств на глазном яблоке у больных сахарным диабетом. Проводят измерение толщины роговой оболочки до операции, после ношения контактной линзы (КЛ) в течение 1 часа и еще через час после снятия КЛ. Высчитывают коэффициент адаптивно-восстановительных возможностей роговицы (КАВР) по формуле  где Т0 - толщина роговицы до КЛ; T1 - толщина роговицы сразу после снятия КЛ; Т2 - толщина роговицы через 1 час после снятия КЛ. При КАВР, равном от 80 до 100%, риск развития роговичных осложнений составляет 0%, при КАВР, равном от 60 до 80%, он составляет 7,6%, при КАВР, равном от 40 до 60%, риск развития роговичных осложнений составляет 15,4%, при КАВР, равном от 20 до 40%, он составляет 30,8%, при КАВР ниже 20% риск развития роговичных осложнений составляет 84,6%. Способ позволяет повысить точность прогнозирования роговичных осложнений после операции у больных сахарным диабетом. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента