КАЧАЛИНА Г.Ф. Хирургическая технология трансэпителиальной фоторефрактивной кератэктомии при миопии на эксимерлазерной установке «Профиль-500». // Автореф. дисс. к.м.н. - М., 2000, с.9-14. RU 2314078 С1, 10.01.2008. RU 2314076 C1, 10.01.2008. US 6302877, 16.10.2001. ДОГА А.В. и др. Сравнение гладкости абляционной поверхности, формируемойразличными сканирующими эксимерными лазерами. // Офтальмохирургия, 2004, 1, с.13-16. AMANO S. et al. Excimer laser photorefractive keratectomy for myopia. // J. Refract. Surg, 1995, vol.1, 1, pp.253-260.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Ост-Оптик К" (RU)
Изобретатели:
Мягких Александр Иванович (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Ост-Оптик К" (RU)
Реферат
Изобретение относится к офтальмологии и может быть использовано при коррекции миопии. Воздействуют на роговицу излучением эксимерного лазера с гауссовым радиальным распределением плотности энергии в поперечном сечении луча. Длина волны 193-250 нм, диаметр зоны лазерного воздействия от 5 до 9 мм, длительность импульсов 15-30 нс, частота следования импульсов от 5 до 15 Гц. Воздействие производят посредством последовательного уменьшения параметра среднеквадратичного отклонения распределения плотности энергии в каждой из последующих серий импульсов в интервале от 2.3 мм до 1.8 мм. Значение амплитуды плотности энергии в центре симметрии импульса лежит в интервале от 100 мДж/см2 до 175 мДж/см2 и сохраняется постоянным во все время проведения серий импульсов. При этом внутри каждой серии импульсов значение параметра среднеквадратичного отклонения распределения плотности энергии постоянно. Каждая серия импульсов формирует вогнутые по отношению к исходной поверхности роговицы сферические поверхности, расположенные на одной оси. Зона воздействия симметрична относительно оптического центра симметрии роговицы. Способ позволяет уменьшить травматизацию тканей глаза при одновременном уменьшении послеоперационных осложнений и объема удаляемых глазных тканей. 3 ил., 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента