ДВАЛИ М.Л. и др. Коррекция аметропий высокой степени по методике «Bioptics». // Рефракционная хирургия и офтальмология, 2003, том 3, 1, стр.35-38. RU 2231342 C1, 27.06.2004. RU 2331400 C1, 20.08.2008. ISELI H.P. et al. Corneal and total wavefront aberrations in phakic and pseudophakic eyes after implantation of monofocal foldableintraocular lenses. // J.Cataract Refract. Surg., 2006, May, vol.32, 5, p.762-771.
Имя заявителя:
Закрытое акционерное общество "Екатеринбургский центр МНТК "Микрохирургия глаза" (RU)
Изобретатели:
Костин Олег Александрович (RU) Ободов Андрей Алексеевич (RU) Ребриков Сергей Викторович (RU) Степанов Алексей Александрович (RU) Овчинников Александр Иванович (RU)
Патентообладатели:
Закрытое акционерное общество "Екатеринбургский центр МНТК "Микрохирургия глаза" (RU)
Реферат
Изобретение относится к офтальмохирургии и может быть использовано при лечении аметропии высокой степени и, в частности, миопии высокой степени с выраженным астигматизмом с использованием кераторефракционной хирургии - ЛАСИК. Имплантацию ИОЛ выполняют до кератоабляции роговицы через 2-3 дня после формирования роговичного лоскута на ножке, через доступ, сформированный вне зоны лоскута. После этого выжидают стабилизацию клинической рефракции глаза и топографии роговицы. После этого выполняют лазерную кератоабляцию. В качестве ИОЛ используют гибкую линзу, которую имплантируют в капсульный мешок через роговичный тоннельный микродоступ, выполняемый с височной стороны на расстоянии 1,5 мм от края роговичного лоскута. При этом разрез формируют сначала перпендикулярно поверхности роговицы на глубину 450 мкм, а затем направляют инструмент в сторону зрачка с выходом его дистального конца в передней камере, в зоне проекции края роговичного лоскута. Способ обеспечивает получение стойкого высокого рефракционного результата. Соблюдение расстояния от разреза для имплантации ИОЛ до ранее сформированного лоскута роговицы обеспечивает сохранность опорной функции роговицы и снижение операционных и послеоперационных осложнений. 1 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента