ИЗОЛИРОВАННАЯ МОЛЕКУЛА НУКЛЕИНОВОЙ КИСЛОТЫ, КОДИРУЮЩАЯ СЛИТЫЙ ПОЛИПЕПТИД, СПОСОБНЫЙ СВЯЗЫВАТЬ ФАКТОР РОСТА ЭНДОТЕЛИАЛЬНЫХ КЛЕТОК СОСУДОВ (VEGF), СЛИТЫЙ ПОЛИПЕПТИД, РЕПЛИЦИРУЕМЫЙ ЭКСПРЕССИОННЫЙ ВЕКТОР, СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛИТОГО ПОЛИПЕПТИДА, ЛОВУШКА VEGF, ФАРМАЦЕВТИЧЕСКАЯ КОМПОЗИЦИЯ, СПОСОБ ЛЕЧЕНИЯ И НАБОР ДЛЯ ЛЕЧЕНИЯ VEGF - ОПОСРЕДОВАННОГО ЗАБОЛЕВАНИЯ ИЛИ СОСТОЯНИЯ
WULFF С. et al. Prevention of thecal angiogenesis, antral follicular growth, and ovulation in the primate by treatment with vascular endothelial growth factor Trap R1R2, Endocrinology, 2002, v.143, n.7, p.2797-2807. WO 0075319, 14.12.2000. RU 2177950 C2, 10.01.2002.
Имя заявителя:
РИДЖЕНЕРОН ФАРМАСЬЮТИКАЛЗ, ИНК. (US)
Изобретатели:
ДЕЙЛИ Томас Дж. (US) ФЭНДЛ Джеймс П. (US) ПАПАДОПУЛОС Николас Дж. (US)
Патентообладатели:
РИДЖЕНЕРОН ФАРМАСЬЮТИКАЛЗ, ИНК. (US)
Приоритетные данные:
30.06.2003 US 10/609,775
Реферат
Изобретение относится к области биотехнологии, конкретно к нуклеиновым кислотам и мультимерным белкам, способным связывать фактор роста эндотелиальных клеток сосудов (VEGF), и может быть использовано в медицине. Рекомбинантным путем получают полипептид, состоящий из компонента (R1R2)X и, необязательно, мультимеризующего компонента (МС), который представляет собой аминокислотную последовательность длиной от 1 до 200 аминокислот, имеющую по меньшей мере один остаток цистеина, где Х1, R1 означает иммуноглобулин-подобный (Ig) домен 2 рецептора VEGF Flt-1, a R2 означает Ig-домен 3 рецептора VEGF Flk-1. Полученный слитый полипептид не содержит мультимеризующего компонента в случае, когда Х=2, а в случае, когда Х=1, мультимеризующий компонент представляет собой аминокислотную последовательность длиной от 1 до 15 аминокислот. Полученный полипептид используют в составе фармацевтической композиции для VEGF-опосредованного заболевания или состояния. Изобретение позволяет получить высокоэффективную ловушку VEGF, специальная конструкция которой подходит для локального введения в конкретные органы, ткани и/или клетки. 9 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента