На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИМПЛАНТАТА С ЭЛЕКТРЕТНЫМИ СВОЙСТВАМИ ДЛЯ ОСТЕОСИНТЕЗА

Номер публикации патента: 2146112

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  97117699		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к медицинской технике, а точнее к травматологии и ортопедии для получения устройств, оптимизирующих процессы остеорепорации при лечении повреждений и заболеваний опорно-двигательной системы. Технический результат изобретения заключается в разработке технологии, органично включающей в свой состав объективную оценку качества диэлектрических покрытий окиси тантала Ta₂O₅ в процессе их нанесения и, как следствие, повышения качества наносимых покрытий и увеличения процента выхода годных изделий. На изолированный подложкодержатель (электрод) с имплантатами (подложками) в ходе технологического процесса поэтапно подают потенциал земли или положительный относительно земли потенциал смещения. Измеряют ток в цепи подложкодержателя с имплантатами, а свойства наносимого покрытия Ta₂O₅ обеспечивают на основе данных о характере изменения и величине тока смещения. Технологический процесс выполняют в два последовательных этапа: 1 - после начала ионного распыления тантала в атмосфере аргона подают на подложкодержатель с имплантатами потенциал земли, производят напуск кислорода и увеличивают его парциальное давление в технологической вакуумной камере до величины, при которой начинает падать ток смещения в цепи подложкодержателя с имплантатами, это свидетельствует о начале образования на поверхности имплантата диэлектрического покрытия Ta₂O₅; 2 - при уменьшении тока смещения в цепи подложкодержателя с имплантатами до 0,9-0,6 его начальной величины на подложкодержатель с имплантатами подают положительный относительно земли потенциал смещения и производят стабилизацию во времени этого значения тока смещения путем увеличения положительного потенциала смещения, что обеспечивает образование на поверхности имплантата беспористого сплошного диэлектрического покрытия Ta₂O₅, причем в период стабилизации значения тока смещения на подложкодержатель с имплантатами периодически подают потенциал земли, измеряют ток смещения в цепи подложкодержателя с имплантатами и момент прекращения падения тока смещения считают окончанием периода формирования на поверхности имплантата беспористого сплошного покрытия Ta₂O₅, а продолжение процесса нанесения покрытия производят до достижения заданной его толщины. 4 ил.

Вернуться к списку