|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| АППАРАТ ДЛЯ МАГНИТОФОТОЛАЗЕРНОЙ ТЕРАПИИ |  |
Номер публикации патента: 2179869 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | A61N005/067 | | Аналоги изобретения: | RU 2022574 С1, 15.11.1994. RU 2143293 С1, 27.12.1999. RU 2156148 С1, 20.09.2000. ЕР 0527050 А1, 10.02.1993. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "НПО Космического Приборостроения" | | Изобретатели: | Антонова Г.А.
Алешин В.Г.
Балаков В.Ф.
Бухаров Д.Г.
Майоров В.А.
Полонский А.К.
Урличич Ю.М. | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "НПО Космического Приборостроения"
Общество с ограниченной ответственностью "Символ" |
Реферат | |
Изобретение относится к медицинской технике, а именно к устройствам для физиотерапевтического воздействия лазерным и светодиодным инфракрасными излучениями одновременно с магнитным полем. Аппарат для магнитофотолазерной терапии содержит определенным образом соединенные и расположенные адаптер, терминал, состоящий из лазерного излучателя, N ИК-светодиодов, фотоприемника, выполненного в виде транзистора и ждущего мультивибратора, источника питания ИК-светодиодов со стабилизаторами импульсного тока, источника питания лазерного излучателя, микроконтроллера, блока переключения режимов работы, блока звуковой сигнализации, блока световой индикации, камеры терминала. Достигаемым техническим результатом за счет использования новой схемы питания светодиодов и выполнения фотоприемника являются снижение себестоимости аппарата, уменьшение его веса и габаритов, повышение надежности и достоверности индикации наличия ИК-излучения лазера и светодиодов при сохранении основных параметров, воздействующих на пациента физических факторов - импульсной мощности, частоты повторения лазерного излучения, средней мощности светодиодного излучения, величины магнитного поля. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента