RU 2286616 C2, 27.10.2006. GB 2007635 A, 23.05.1979. US 6221154 B1, 24.04.2001. US 5165916 A, 24.11.1992. JP 61291496 A, 22.12.1986. JP 64033100 U, 02.02.1989. JP 02180710 A, 13.07.1990. CN 101348253 A, 21.01.2009.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН (ИОНХ РАН) (RU)
Изобретатели:
Севастьянов Владимир Георгиевич (RU) Павелко Роман Георгиевич (RU) Антипов Алексей Вячеславович (RU) Ермаков Владимир Анатольевич (RU) Симоненко Елизавета Петровна (RU) Кузнецов Николай Тимофеевич (RU) Каблов Евгений Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН (ИОНХ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано в электронной промышленности и промышленности композиционных материалов. Порошок или пластины монокристаллического кремния предварительно очищают, помещают в реакционную емкость, вакуумируют ее до 10-2 мм рт.ст. и нагревают до 1200÷1415°С. Затем заполняют реакционную емкость очищенным от влаги и кислорода монооксидом углерода и выдерживают кремний с монооксидом углерода при указанной температуре в течение 5-600 минут. После этого охлаждают. Полученные нановолокна карбида кремния отмывают от диоксида кремния или смеси диоксида кремния с непрореагировавшим кремнием. Изобретение позволяет проводить синтез нановолокна карбида кремния с высокой производительностью и при низкой температуре, получать высококачественный и химически чистый продукт. 4 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента