|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2116963 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C01B033/027 | | Аналоги изобретения: | Фалькевич Э.С. Технология полупроводникового кремния. - М.: Металлургия, 1992, с.242 - 249. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Яковлев Ю.И. | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН
Яковлев Юрий Игореви |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии кремния и может быть использовано в производстве полупроводникового кремния. Сущность изобретения заключается в способе получения кремния, основанном на реакции термического разложения газообразного, кремнийсодержащего химического соединения на нагретых электрическим током кремниевых подложках с образованием элементарного кремния и газообразных продуктов реакции; в качестве кремнийсодержащего химического соединения используют тетраамминтрикремнефторид Si3(NH3)4F12. Использование способа позволяет повысить чистоту полупроводникового кремния и увеличить выход продукта. 2 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента