|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНООКИСИ КРЕМНИЯ И УСТАНОВКА ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2207979 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C01B033/113 | | Аналоги изобретения: | КУЛАГИН И.Д. и др. Низкотемпературная плазма. Плазменная металлургия. - Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1992, т.8, с.222-224. SU 1791381 А1, 30.01.1993. US 5096685 А, 17.03.1992. |
| Имя заявителя: | Восточно-Сибирский государственный технологический университет | | Изобретатели: | Дандарон Г.-Н.Б.
Ранжуров Ц.В.
Балданов М.М. | | Патентообладатели: | Восточно-Сибирский государственный технологический университет |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике, а именно к получению моноокиси кремния, который используется в качестве диэлектрического и изоляционного материала при изготовлении конденсаторов, триодов и других микропленочных элементов. Моноокись кремния получают восстановлением двуокиси кремния кремнием по реакции SiO2+Si=2SiO в защитной атмосфере.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента