Китайцев В.А. Технология теплоизоляционных материалов. - М.: Издательство литературы по строительству, 1970, с.231-235. SU 341782 A1, 01.01.1972. RU 2411219 C1, 10.02.2011. RU 2007142796 A, 27.03.2008. SE 207566 A, 24.01.1966.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью Научно-технологический центр "Силикатные материалы и технологии" (RU), Общество с ограниченной ответственностью Производственно-инвестиционная компания "Диатомит-Инвест" (RU)
Изобретатели:
Никифоров Евгений Александрович (RU) Нестерова Светлана Александровна (RU) Рябов Георгий Константинович (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью Научно-технологический центр "Силикатные материалы и технологии" (RU) Общество с ограниченной ответственностью Производственно-инвестиционная компания "Диатомит-Инвест" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области строительства, а именно к способам и устройствам изготовления теплоизоляционных изделий, и может быть использовано при изготовлении высокотемпературных теплоизоляционных изделий на основе диатомитового сырья. Изобретение позволит обеспечить получение высокотемпературных теплоизоляционных изделий из диатомитового сырья. Способ изготовления теплоизоляционных изделий включает подготовку и подачу диатомитовой смеси, добавок и пластификаторов для улучшения характеристик изделий, их смешивание, формование, сушку и обжиг. Для подготовки смеси диатомитовую сырьевую массу, доставленную из карьера и прошедшую рыхление до размеров не более 80 мм и железоотделение, помещают в отапливаемом складе с температурой не ниже 5°C как минимум на 24 часа, смешивают со следующими добавками для подготовки шихты: диспергированным диатомитовым порошком, содержащим 90% фракций менее 15 мкм и влажностью 3-8% в количестве 7-12% от массы шихты; мелом фракций менее 140 мкм и влажностью не более 2% в количестве 15% от массы шихты; древесными опилками, содержащими 90% фракций 0,5-2 мм и влажностью не более 40% в количестве 3% от массы шихты, доводя влажность подготовленной шихты до 34-36%. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента