Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОМЕРОВ ФТАЛЕВЫХ КИСЛОТ С ВЫСОКОЙ СТЕПЕНЬЮ ЧИСТОТЫ

Номер публикации патента: 2047595

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 93046191/04 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C07C063/15   C07C051/265    
Аналоги изобретения: 1. JP N 212881, C 07C 63/26, 1983. 

Имя заявителя: Фирма "Самсунг" (KR),Акционерное общество открытого типа Научно-исследовательский и проектный институт мономеров с опытным заводом (RU) 
Изобретатели: Назимок В.Ф.
Гончарова Н.Н.
Юрьев В.П.
Манзуров В.Д. 
Патентообладатели: Фирма "Самсунг" (KR)
Акционерное общество открытого типа Научно-исследовательский и проектный институт мономеров с опытным заводом (RU) 

Реферат


Использование: в качестве мономера для получения полимерных материалов. Сущность: продукт терефталевая, изофталевая и фталевая кислоты с высокой степенью чистоты без стадии очистки гидрированием. Реагент 1: изомер ксилола. Реагент 2: кислородсодержащий газ. Условия реакции: после 1-й и 2-й стадии окисления осадок отделяют от растворителя и затем обрабатывают возвращаемым в цикл растворителем, затем полученный шлам нагревают до высокой температуры для экстракции примесей, после охлаждения и обраб


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"