ГУДА Е.А., МИРОНОВ В.А., СЕРГЕЕВА А.В. Биосинтез низина А бацитрацин-устойчивым штаммом Lactococcus lactis. - Биотехнология, 2010, 4, с.17-24. СТОЯНОВА Л.Г. Вариабельности низинсинтезирующего дикого штамма Lactococcus lactis 119 под действием ультрафиолетовых лучей. - Антибиотики и химиотерапия, 2006, т.51, 11/12, с.11-17. RU 2115724C1, 20.07.1998. MOLLER С., BOCKELMANN W., HELLER K.J. Isolierung von lactobacillus delbrueckii subsp. bulgaricus Mutanten zur Herstellung eines Joghurts mit milder Geschmackscharakteristiik. Kiek. Milchwirtsch. Forschungsber. 2001, v.53, p.167-185. PEREA V. et al. Functional analysis of D-alanylation of lipoteichoic acid in the probiotic strain Lactobacillus rhamnosus GGv. Appl. Env. MicrobioL, 2007, v.73, no.11, p.3595-3604.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки Российской Федерации (RU), Учреждение Российской академии наук Институт общей генетики им. Н.И. Вавилова РАН (ИОГен РАН) (RU)
Изобретатели:
Миронов Виталий Алексеевич (RU) Лаврикова Виктория Викторовна (RU) Даниленко Валерий Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки Российской Федерации (RU) Учреждение Российской академии наук Институт общей генетики им. Н.И. Вавилова РАН (ИОГен РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к биотехнологии. Проводят предварительный отбор мутантов Lactobacillus helveticus, устойчивых к низину А в концентрации от 25 до 100 мкг/мл после культивирования их на среде MRS-бульон и MRS - агар с низином А. Отобранные низинустойчивые мутанты повторно культивируют в MRS-бульоне при pH 2, затем высевают на MRS-агар с pH 5,7, инкубируют в течение 48 ч и определяют степень их выживаемости. Отбирают кислотоустойчивые штаммы Lactobacillus helveticus, степень выживаемости у которых повышается более чем на 1,58 порядок по сравнению с исходной культурой Lactobacillus helveticus. Изобретение обеспечивает упрощение процедуры отбора и повышение селективности отбора. 3 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента