Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ОБРАБОТКИ ИЗДЕЛИЙ ИСТОЧНИКОМ ИОНОВ

Номер публикации патента: 2071992

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 5018360 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C23C014/46   H01J027/04    
Аналоги изобретения: Ивановский Г.Ф. и др. Ионно-плазменная обработки материалов.- М.: Радио и связь, 1986, с. 207, рис.5.4. 2. Соболев В.Д. Физические основы электронной техники.- М.: Высшая школа, 1979, с. 91. 

Имя заявителя: Научно-производственное предприятие "НОВАТЕХ" 
Патентообладатели: Научно-производственное предприятие "НОВАТЕХ" 

Реферат


Использование: для обработки изделий в вакууме с целью очистки их поверхности, для повышения адгезии наносимых покрытий, а также для травления и ионной фрезеровки изделий, полировки поверхности, распыления любых материалов, упрочнения и модификации поверхности имплантацией ионов. Сущность изобретения: в вакуумной камере посредством источника ионов формируют ионный пучок. Напротив эмиссионной поверхности источника устанавливают обрабатываемое изделие. При этом последнее размещают от эмиссионной поверхности источника ионов на расстоянии L, превышающем длину свободного пробега ионов в режиме их перезарядки. В результате перезарядки пучок положительно заряженных ионов трансформируется в пучок нейтральных атомов без заметных изменений направления и величины скорости частиц. Процентное содержание нейтральных атомов в пучке по отношению к заряженным ионам можно сделать сколь угодно большим, варьируя расстояние L и давление газа в камере. Процесс не зависит от потенциала поверхности изделия, заряжаемой оставшимися в пучке ионами. Снижению величины этого потенциала способствуют электроны из слоя синтезированной плазмы, прилегающей к эмиссионной поверхности источника ионов. Быстрые нейтральные атомы в пучке осуществляют распыление диэлектрической мишени с энергией, практически равной энергии первичного пучка ионов.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"