На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЯ | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 2164550 | ![](Images/empty.gif) |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | C23C014/48 | Аналоги изобретения: | RU 2012684, 15.05.1994. RU 2007501, 15.02.1994. WO 99/18252 A1, 15.04.1999. EP 0166349 A1, 02.01.1986. FR 2594853 A1, 28.08.1987. |
Имя заявителя: | Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов | Изобретатели: | Мубояджян С.А. Каблов Е.Н. Будиновский С.А. Помелов Я.А. | Патентообладатели: | Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Изобретение может быть использовано в авиационном и энергетическом газотурбиностроении. Способ включает предварительную подготовку поверхности изделия, размещение в зоне обработки изделия и токопроводящего материала, создание вакуума в зоне обработки, подачу отрицательного потенциала на изделие и отдельно на токопроводящий материал, возбуждение на токопроводящем материале вакуумной дуги, горящей в парах токопроводящего материала с образованием плазмы токопроводящего материала, бомбардировку поверхности изделия ионами токопроводящего материала, очистку и нагрев поверхности изделия ионами токопроводящего материала, диффузию и накопление ионов токопроводящего материала на поверхности изделия путем модифицирования и легирования его поверхности ионами токопроводящего материала, являющегося модификатором, в диапазоне температур поверхности изделия от температуры, при которой скорость ионной диффузии частиц модификатора в материал изделия начинает превышать скорость ионного травления поверхности изделия, до температуры разупрочнения материала изделия в вакууме, причем температуру нагрева поверхности изделия регулируют изменением отрицательного потенциала на изделии и тока вакуумного дугового разряда. Изобретение направлено на повышение скорости накопления ионов плазмы модификатора в поверхностном слое за счет увеличения энергии ионов. 2 табл.
|