RU 2199608 С2, 27.02.2003. RU 1753886 A3, 20.11.1995. GB 1262470 A, 02.02.1972. JP 007-262577 A, 11.10.2007. WO 9738850 A1, 23.10.1997.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" (RU)
Изобретатели:
Аверичкин Павел Андреевич (RU) Кальнов Владимир Александрович (RU) Кожухова Елена Абрамовна (RU) Левонович Борис Наумович (RU) Маишев Юрий Петрович (RU) Пархоменко Юрий Николаевич (RU) Шевчук Сергей Леонидович (RU) Шлёнский Алексей Александрович (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии получения углеродсодержащих защитных покрытий пиролизом органосилоксановых соединений и может быть использовано в планарной технологии твердотельной электроники, а также может найти применение в литографических процессах при формировании органосилоксановых актинорезистов и углеродсодержащих маскирующих покрытий на их основе для изготовления фотошаблонов или ионного травления планарных структур. На подложке осаждают органосилоксаны в виде тонкой органосилоксановой пленки с атомным соотношением кремния и углерода, равным 1,0:(1,0÷4,0), после осаждения проводят отжиг при температуре 450÷650°С в инертной атмосфере при влагосодержании по точке росы не выше минус 60°С с выдержкой в течение 120÷30 мин. В частных случаях осуществления изобретения осаждение органосилоксанов на поверхности подложки осуществляют центрифугированием органосилоксановых олигомеров из растворов, или термовакуумным напылением органосилоксановых олигомеров, или из парогазовой или жидкой фазы органосилановых мономеров, или актинолитографией с получением органосилоксановой пленки в виде сплошных, равномерных слоев или в виде маскирующих покрытий. Упрощается процесс получения прочных и однородных углеродсодержащих покрытий толщиной 0,08÷0,47 мкм с удельным сопротивлением 20÷160 Ом·см и скоростью плазменного травления ионами аргона 0,09÷0,11 нм/с. 4 з.п. ф-лы, 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента