Corbella С. et al Diamond and Related Materials, 13, 2004, с.1494-1499. RU 2105082 C1, 20.02.1998. RU 2205894 C2, 10.06.2003. JP 63-219586 A, 13.09.1988. JP 2007-324353 A, 13.12.2007.
Имя заявителя:
Институт электрофизики Уральского отделения РАН (RU)
Изобретатели:
Гаврилов Николай Васильевич (RU) Мамаев Александр Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Институт электрофизики Уральского отделения РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к технике нанесения покрытий для получения аморфных алмазоподобных углеводородных покрытий и может быть использовано в медицине. Способ нанесения аморфного углеводородного покрытия на изделие из металлического материала с использованием плазменного катода, содержащего полый катод, поджигающий электрод и анодную сетку, включает ионную очистку поверхности изделия, помещенного в плазменную камеру, путем напускания химически инертного газа в полый катод, приложения напряжения между полым катодом, поджигающим электродом и анодной сеткой и приложения импульсного напряжения между анодом и стенками вакуумной камеры. Формирование переходного слоя из атомов материала изделия и углерода иммерсионной ионной имплантацией осуществляют путем напускания в плазменную камеру по меньшей мере одного углеводородсодержащего газа и зажигания несамостоятельного импульсно-периодического разряда между анодом и стенками вакуумной камеры, при этом бомбардирующие поверхность изделия ионы ускоряют напряжением смещения величиной 1-10 кВ. Осаждение углеводородного покрытия осуществляют за счет создания несамостоятельного импульсно-периодического электрического разряда при подаче импульсно-периодического напряжения между стенками плазменной камеры и анодом в смеси химически инертного газа и по меньшей мере одного углеводородсодержащего газа. Получаются покрытия, обладающие высокой твердостью, химической инертностью, низким трением, высоким электросопротивлением и теплопроводностью. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента