ДАНИЛИН Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. - М.: Энергоатомиздат, 1989, с.328. RU 2110604 С1, 10.05.1998. RU 2261289 С1, 27.09.2005. ЕР 1973177 А2, 24.09.2008. JP 07173621 А, 11.07.1995.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" (RU)
Изобретатели:
Вольпяс Валерий Александрович (RU) Козырев Андрей Борисович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии получения тонких пленок, в частности сегнетоэлектрических пленок на основе сложных оксидов, и может быть использовано для создания многокомпонентных пленочных покрытий с заданным стехиометрическим составом. Способ включает ионно-плазменное распыление мишени, выполненной из сложных оксидов сегнетоэлектриков, и нанесение ее атомов на подложку, расположенную на аноде. При этом между подложкой и мишенью устанавливают цилиндрический экран, выполненный из диэлектрического материала. Распыляемая мишень может быть выполнена из BaxSr1-xTiO3 или PbZrxTi1-xO3. Технический результат - расширение диапазона отклонения стехиометрического состава получаемых пленок от стехиометрического состава распыляемой мишени. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.