US 2009101283 A1, 23.04.2009. RU 1573896 C, 09.07.1995. RU 2316845 C1, 10.02.2008. US 2002008082 A1, 24.01.2002. US 2009095421 A1, 16.04.2009.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" (ОАО "НИИПМ") (RU)
Изобретатели:
Абрамов Владимир Александрович (RU) Аксенова Лидия Александровна (RU) Климов Андрей Владимирович (RU) Рубинштейн Владимир Михайлович (RU) Сергиенко Анатолий Иванович (RU) Цукерман Александр Аронович (RU) Черных Владимир Кириллович (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" (ОАО "НИИПМ") (RU)
Реферат
Изобретение относится к устройствам локального травления тонких пленок микроэлектроники. Устройство содержит вакуумную камеру с крышкой, два электрода, системы откачки и напуска плазмообразующего газа, верхний электрод установлен на плите и снабжен шаблоном, установленным на съемной втулке, закрепленной на электроде, и механизмом регулирования параллельности двух электродов относительно друг друга, выполненным в виде трех микрометрических головок, жестко установленных в отверстиях упомянутой плиты с возможностью взаимодействия нижним концом через шаровые опоры соответственно с тремя вертикальными стойками, закрепленными на основании камеры. На каждой стойке выполнены подвижные упоры, взаимодействующие с механизмом регулирования зазора между двумя электродами, выполненным в виде прецизионного подъемника, на котором установлен нижний электрод, являющийся подложкодержателем. Устройство позволяет упростить процесс формирования структур, повысить скорость травления, обеспечивает равномерность травления за счет использования безмасочного процесса травления и позволяет снизить затраты электроэнергии и расход плазмообразующего газа. 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента