|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ЗАТРАВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КВАРЦА (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2195519 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B007/10 C30B029/18 | | Аналоги изобретения: | YUTAKA MIKAWA et al. New technique to decrease dislocations in synthetic quartz crystal. "Proceed of the 1999 IEEE International Fr. Contr. Sump. 1999 Micropolis Besanson, France, p. 773-776. GB 827502 А, 03.02.1960. GB 827501 А, 24.11.1959. GB 640982 А, 02.08.1950. US 4576808 А, 18.03.1986. |
| Имя заявителя: | Абдрафиков Станислав Николаевич,Михалицын Александр Анатольевич | | Изобретатели: | Абдрафиков С.Н.
Михалицын А.А.
Михалицына О.В. | | Патентообладатели: | Абдрафиков Станислав Николаевич
Михалицын Александр Анатольевич |
Реферат | |
Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, например, гидротермальным способом и может использоваться при изготовлении затравочных пластин для выращивания кристаллов с малым числом дислокаций. Затравка для выращивания монокристалла кварца содержит во всех вариантах выполнения базовую затравку и дополнительные элементы, механически соединенные с ней под углом =90o, или 90o<<180 (I и II варианты), или под углом =180o (III вариант).
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента