Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2148110

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 99102743 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B007/08    
Дополн. коды МПК: C30B029/14  
Аналоги изобретения: N.P.ZAITSEVA et al Rapid growth of large-scale (40 - 55 cm) KH<SB>2</SB>PO<SB>4</SB> crystals. "Journal of Crystal Growth, vol. 180 (1997), pp. 255 - 262. SU 1619750 A1, 20.07.1997. US 5122224 A, 16.06.1992. JP 03170390 A, 23.07.1991. JP 6115524 A, 14.07.1986. JP 62003090 A, 09.01.1987. 

Имя заявителя: Крамаренко Владимир Анатольевич 
Изобретатели: Крамаренко В.А. 
Патентообладатели: Крамаренко Владимир Анатольевич 

Реферат


Изобретение может быть использовано в технике, связанной с получением искусственных кристаллов, в частности группы КДР (KH2PO4). Предложен способ выращивания кристаллов на затравку из пересыщенного раствора, включающий перегрев раствора, фильтрацию, охлаждение раствора до температуры кристаллизации и последующую его подачу в кристаллизатор, и устройство для осуществления этого способа, в которых раствор перед подачей в кристаллизатор разделяют на два потока для охлаждения их до разной температуры. Изобретение позволяет улучшить качество выращиваемых кристаллов за счет увеличения концентрации кластеров в пересыщенном растворе. 2 с. и 1 з.п.ф-лы, 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"