Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ИГОЛЬЧАТЫХ КРИСТАЛЛОВ

Номер публикации патента: 2430200

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009136463/05 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B007/12   C30B029/62    
Аналоги изобретения: ВИКАРЧУК А.А. и др. Пентагональные кристаллы меди: многообразие форм роста и особенности внутреннего строения. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып.2, с.339-344. Соминский М.С. Полупроводники, Государственное издательство физико-математической литературы. - М., 1961, с.197-199. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образования "Тольяттинский государственный университет" (RU) 
Изобретатели: Викарчук Анатолий Алексеевич (RU)
Грызунова Наталья Николаевна (RU)
Дорогов Максим Владимирович (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образования "Тольяттинский государственный университет" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области гальванопластики и может быть применено для изготовления деталей устройств нанотехнологического оборудования, использующих метод сканирующего зонда, например, кантилеверов. Кристаллы выращивают на подложке осаждением из электролита. На подложке образуют дефект дисклинационного типа в виде ямки пятиугольного сечения или микротрещины, используют в качестве дефекта плоские пентагональные кристаллы, пленки или покрытия, либо стык кристаллов. Образуя несколько дефектов дисклинационного типа, выращивают одновременно несколько игольчатых кристаллов в форме усов. Выращенные игольчатые кристаллы подвергают электрополированию, формируя острие. В качестве подложки может быть использована деталь устройства, на которой должен быть закреплен игольчатый кристалл. Технический результат - снижение трудоемкости изготовления игольчатых кристаллов. Способ уменьшает количество операций и позволяет выращивать кристаллы в нужном месте и нужных размеров. Это также повышает надежность работы оборудования, в котором используется игольчатый кристалл. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"