WO 2010083899 A1, 29.07.2010. US 5545387 A, 13.08.1996. ФАЛЬКЕВИЧ Э.С. Технология полупроводникового кремния. - М.: Металлургия, 1992, стр.218-219.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Красноярский машиностроительный завод" (RU)
Изобретатели:
Сарапулов Кирилл Борисович (RU) Панов Петр Иннокентьевич (RU) Кутаков Виктор Васильевич (RU) Сотников Павел Анатольевич (RU) Гавриленко Ксения Валериевна (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Красноярский машиностроительный завод" (RU)
Реферат
Изобретение относится к устройствам для выращивания поликристаллического кремния, преимущественно, путем осаждения из газовой фазы на подогреваемые стержневые подложки (основы). Реактор содержит охлаждаемый поддон 1, установленный на опорной конструкции, цилиндрический колпак 2, состоящий из внутренней рубашки охлаждения 3 и наружной рубашки охлаждения 4, направляющих ребер охлаждения 5. Наружная рубашка охлаждения 4 состоит из сегментов, которые жестко связаны между собой и посредством направляющих ребер 5 с внутренней рубашкой 3 сваркой. Конструкция снабжена средствами для подвода 7 и отвода 8 охлаждающей среды и шпангоутом 9 для крепления колпака к поддону 1. Между наружной 4, внутренней 3 рубашками охлаждения и направляющими ребрами 5 образованы кольцевые каналы, переходящие с одного уровня на другой по спирали. Технический результат изобретения заключается в уменьшении массы колпака реактора и улучшении условий охлаждения внутренней рубашки 3. 5 ил.