US 4299651 А, 10.11.1981. JP 62128996 А, 11.06.1987. BONNER W.A. InP synthesis and LEC growth of twin-free crystals // Journal of Crystal Growth. - 1981, vol.5, no.1, p.p.21-31.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью (ООО) "Нанофин" (RU)
Изобретатели:
Бабокин Юрий Лукьянович (RU) Елсаков Валерий Геннадьевич (RU) Макалкин Владимир Иванович (RU) Мельников Ярослав Сергеевич (RU) Цыпленков Игорь Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью (ООО) "Нанофин" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов фосфида индия методом Чохральского из-под слоя борного ангидрида под давлением инертного газа. Способ включает затравливание на затравку, разращивание монокристалла до заданного диаметра при одновременном вытягивании его конической части с заданной скоростью и последующее выращивание цилиндрической части кристалла. При выращивании конической части монокристалла скорость вращения тигля и скорость вытягивания монокристалла увеличивают, соответственно, от 0÷2 об/мин и 0÷5 мм/час при затравливании до 3÷6 об/мин и 15÷30 мм/час при достижении заданного диаметра, а после получения заданного диаметра на конической части монокристалла скорость вытягивания увеличивают до 50÷150 мм/мин в течение 1,0÷6,0 сек с последующим продолжением выращивания цилиндрической части монокристалла с заданной скоростью. Затравка может иметь кристаллографическую ориентацию оси роста <511>В. Изобретение направлено на снижение вероятности двойникования на конической части монокристалла, за счет чего повышается качество и увеличивается выход годных монокристаллов фосфида индия. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента