|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ ПЕРЕСЫЩЕНИЯ РАСТВОРА &Dgr;T, СООТВЕТСТВУЮЩЕЙ НАЧАЛУ РОСТА ГРАНЕЙ ПРИЗМЫ |  |
Номер публикации патента: 1464516 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B007/02 C30B029/46 | | Аналоги изобретения: | Александров Л.Н. Рост полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1984, с.155. |
| Имя заявителя: | Институт прикладной физики АН СССР | | Изобретатели: | Рубаха В.И. |
Реферат | |
Изобретение касается роста кристаллов, конкретно определения свойств кристаллов с помощью оптических средств, может быть использовано для практического выращивания кристаллов с огранкой типа КДР и α-LiIO3 и позволяет повысить точность измерения. В раствор погружают микрокристалл и наблюдают его грань пирамиды в микроскоп в растворе в отраженном свете. Ведут рост микрокристалла до появления на грани пирамиды одиночных ступений роста, генерируемых одним центром роста. Уменьшают пересыщение &Dgr;T до прекращения их генерации и в момент прекращения генерации фиксируют &Dgr;T.. Определяют интервал ошибки измерений. Достигают увеличения точности измерений до 0,2oС и производительности процесса на порядок. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента