На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ | |
Номер публикации патента: 1503346 | |
Редакция МПК: | 5 | Основные коды МПК: | C30B007/02 C30B029/22 | Аналоги изобретения: | Шархатуян Р.О. Выращивание монокристаллов иодата лития. - Известия АН Арм.ССР, сер.Физика, 1974, N 9, с.224-228. |
Имя заявителя: | Московский институт стали и сплавов | Изобретатели: | Блистанов А.А. Гераськин В.В. Козлова Н.С. Портнов О.Г. Розин К.М. | Патентообладатели: | Институт стали и сплавов |
Реферат | |
Изобретение относится к способам получения монокристаллов из водных растворов, конкретно кристаллов иодата лития, и позволяет повысить выход годных за счет уменьшения объема фантомной области. Приготавливают водный раствор иодата лития. Берут затравку Z-среза прямоугольной формы, ограненной по периметру гранями и с соотношением сторон по плоскости и не менее . Кристаллизацию проводят на затравку изотермическим испарением раствора. При получении кристаллов в виде пластин соотношение сторон выбирают более 1,5. Достигают уменьшения объема фантомной области до 5 раз. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
|