|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2194100 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B007/10 C30B029/14 | | Аналоги изобретения: | ЕР 515288 B1, 25.11.1992. RU 2019583 C1, 15.09.1994. ЕР 123809 А2, 07.11.1984, FR 2485571 А1, 31.12.1981. |
| Имя заявителя: | АВЛ ЛИСТ ГМБХ (AT) | | Изобретатели: | КРЕМПЛ Питер (AT)
ВАЛЛЬНЕФЕР Вольфганг (AT)
КРИСПЕЛ Фердинанд (AT)
ТАННЕР Герберт (AT) | | Патентообладатели: | АВЛ ЛИСТ ГМБХ (AT) |
Реферат | |
Изобретение относится к области выращивания кристаллов точечной группы 32. Сущность изобретения: кристаллы выращивают из раствора с использованием затравочных кристаллов. Предлагается использовать затравочный кристалл, который имеет по меньшей мере два расположенных под углом друг к другу стержневидных или пластинчатых участка, которые охватывают основную область роста кристалла и в выращенном монокристалле расположены эксцентрически.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента