Изобретение относится к технологии получения наноалмазов, имеющих большое промышленное значение в электронике в качестве высокотемпературных полупроводников, высокочувствительных счетчиков в сложных дозиметрических установках с мощным твердотельным лазером и т.д. Наноалмазы получают путем кристаллизации из водного раствора спирта (этилового или метилового), при этом для стабилизации процесса формирования наноалмазов спирт смешивают с аминокислотами, в полученную смесь дополнительно вводят, по крайней мере, один щелочной металл (литий или калий) для связывания свободных атомов водорода, выделяющихся в процессе разложения спирта, и процесс кристаллизации осуществляют в закрытой камере при температуре 400-700°С в течение 4-120 часов. Технический результат изобретения заключается в упрощении способа получения наноалмазов в сочетании с низкой стоимостью их получения. 3 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента