|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ CdS И CdSE |  |
Номер публикации патента: 1279277 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B011/00 C30B011/14 C30B029/50 | | Аналоги изобретения: | H.Kimura. H.Komiya, Metl composition of II-VI compounds during crystal growth in a high-pressure furnace "I. of Crystal Growth" 1973, v.20, N 4, pp.283-291. Бакрадзе Р.В. и др. О возможности получения однородных монокристаллов типа CdS заданной структуры и ориентации. Сб.: Рост кристаллов. М.: Наука, 1965, т. VI, с.261-266. |
| Имя заявителя: | Институт физики твердого тела АН СССР | | Изобретатели: | Кулаков М.П.
Савченко И.Б.
Колесников Н. |
Реферат | |
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов соединений AIIBVI со структурой вюрцита, применяемых в приборах оптоэлектроники и ИК-техники, и позволяет уменьшить плотность малоугловых границ и упростить ориентирование затравки, а также получать монокристаллы в виде пластин. Монокристаллы CdS и CdSe получают направленной кристаллизацией из расплава в контейнере на затравку, ориентированную перпендикулярно направлению <0001 >. Контейнер используют с прямоугольным сечением и располагают затравку на его прямоугольной стороне. 1 з.п.ф-лы, 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента