|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОДНОРОДНО - ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2023769 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | C30B015/04 C30B029/06 | | Аналоги изобретения: | 1. Шашков Ю.М. Металлургия полупроводников. М.: Металлургия, 1960, с.152-155. |
| Имя заявителя: | Добровенский Владимир Вениаминович | | Изобретатели: | Добровенский Владимир Вениаминович | | Патентообладатели: | Добровенский Владимир Вениаминович |
Реферат | |
Изобретение относится к области получения полупроводникового материала. Выращивание ведут методом Чохральского с расплава, содержащего фосфор. Проводят подпитку расплава компенсирующей примесью бора по программе с учетом изменения концентрации фосфора в расплаве. Дано математическое выражение для расчета этого изменения. 3 з.п.ф-лы, 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента