|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2042749 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/20 C30B015/00 C30B029/06 | | Аналоги изобретения: | Сальник З.А., Левшина Е.С. и др. Кислород в монокристаллах кремния большого диаметра, выращенных по методу Чохральского при воздействии однородного вертикального магнитного поля. Кристаллография,. 36, вып.6, 1991. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" | | Изобретатели: | Сальник З.А.
Микляев Ю.А. | | Патентообладатели: | Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой металлургии. Сущность изобретения: кристаллы кремния выращивают методом Чохральского при наложении постоянного магнитного поля с индукцией 0,03 0,06 Тл с вращением тигля и кристалла. Тигель используют со сферическим дном. Соотношение диаметров тигля dт и кристалла dкр dт 3,15dкр.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента