На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ДИАМЕТРОМ МОНОКРИСТАЛЛОВ, ВЫРАЩИВАЕМЫХ СПОСОБОМ ЧОХРАЛЬСКОГО С ЖИДКОСТНОЙ ГЕРМЕТИЗАЦИЕЙ ПРИ ВЕСОВОМ КОНТРОЛЕ | |
Номер публикации патента: 2067625 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | C30B015/28 | Аналоги изобретения: | Патент США N 4397813, кл. C 30 B 15/28, 1983. Гутников В.С. Фильтрация измерительных сигналов, Л.: Энергоатомиздат, 1990, с. 190. Авторское свидетельство СССР N 1745780, кл. C 30 B 15/28, G 05 D 27/00, 1992. |
Имя заявителя: | Сатункин Геннадий Анатольевич | Изобретатели: | Сатункин Геннадий Анатольевич | Патентообладатели: | Сатункин Геннадий Анатольевич |
Реферат | |
Изобретение относится к области автоматизированного выращивания полупроводниковых монокристаллов группы A3B5 способом Чохральского с использование защитной жидкости (флюса) на поверхности расплава и может быть также использовано при автоматизированном выращивании кристаллов обычным способом Чохральского на ростовых установках с весовым методом контроля процесса. Изобретение позволяет повысить точность регулирования диаметра выращиваемого монокристалла при его разращивании и после выхода конусной части кристалла из-под флюса путем выбора программного задания в соответствии с реальным теплом кристаллизации при разращивании, низкочастотной фильтрации шумов с помощью фильтров Калмана и использования двухканального управления. Способ состоит в идентификации программы разращивания, основанной на восстановлении с помощью фильтра Калмана текущих значений весового сигнала и его производных в ходе линейного уменьшения мощности нагрева тигля и неуправляемого разращивания, сравнения этих величин с расчетными по модели процесса кристаллизации, учитывающей наличие мениска переменного объема, с последующим двухканальным регулированием диаметра кристалла оптимальными регуляторами по отклонению с заданной структурой. 3 ил.
|