|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОДНОРОДНО ЛЕГИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2076155 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B015/04 C30B031/00 | | Аналоги изобретения: | Патент ГДР N 183447, кл. B 01J 17/00, 1975. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" | | Изобретатели: | Сальник З.А.
Микляев Ю.А.
Наумов А.В.
Сальник О.С.
Фомичев А.В.
Волков В.И. | | Патентообладатели: | Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" |
Реферат | |
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов кремния методом Чохральского с последующим их применением при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности мощных и силовых транзисторов, силовых диодов, тиристоров и т. д., и позволяет повысить выход в годную продукцию как при выращивании монокристаллического кремния, так и при изготовлении полупроводниковых приборов на основе такого кремния. Это достигается тем, что при выращивании монокристалла проводят частичное легирование кремния фосфором, а долегирование до заданного уровня удельного электрического сопротивления (УЭС) осуществляют термодонорами путем отжига кремния или 350 - 500oС, совмещая или сочетая его с температурными обработками, содержащими эти температуры в цикле изготовления прибора, причем содержание и распределение доноров, обусловленных легированием фосфором, а также содержание и распределение термодоноров выбирают таким образом, чтобы суммарная концентрация доноров в каждой точке монокристалла кремния в готовых приборах соответствовала заданному уровню УЭС. 5 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента