|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2081948 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B015/14 C30B015/02 | | Аналоги изобретения: | Заявка Японии N 58-50956, кл. С 30 В 15/14, 1983. Заявка ЕПВ N 390503, кл. С 30 В 15/12, 1990. Патент США N 4936949, кл. С 30 В 15/12, 1990. |
| Имя заявителя: | Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" | | Изобретатели: | Жвирблянский В.Ю.
Спорыхин Р.И.
Елютин А.В.
Золотова Г.А. | | Патентообладатели: | Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения кристаллов методом Чохральского с использованием подпитки расплава исходным материалом. Обеспечивает повышение выхода бездислокационных кристаллов и снижение расхода электроэнергии. Устройство содержит камеру роста, тигель для расплава с разделительным кольцом, нагреватель и средство подпитки расплава. Нагреватель имеет выступ в виде кольца, расположенного над расплавом. Передача тепла к расплаву в зоне подачи гранул происходит непосредственным излучением. При этом повышается симметрия теплового поля в расплаве. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента