|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ С ЦИКЛИЧЕСКОЙ ДВОЙНИКОВОЙ СТРУКТУРОЙ |  |
Номер публикации патента: 2208068 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/04 C30B015/36 C30B029/06 H01L031/036 | | Аналоги изобретения: | FR 106729 В, 13.08.2000. RU 2141702 С1, 20.11.1999. US 4075055 А, 21.02.1978. JP 50007557 А, 26.03.1975. GB 894241 А, 18.04.1962. |
| Имя заявителя: | АСИ ИНТЕРТЕХНОЛОДЖИ АГ (CH) | | Изобретатели: | Кибизов Р.В. (RU)
Лебедев А.П. (RU) | | Патентообладатели: | АСИ ИНТЕРТЕХНОЛОДЖИ АГ (CH) |
Реферат | |
Изобретение относится к производству полупроводниковых слитков и пластин, в частности кристаллов кремния с циклической двойниковой структурой. Сущность изобретения при получении кристаллов кремния с циклической двойниковой структурой путем выращивания из расплава методом Чохральского на затравку с циклической двойниковой структурой от базовой - трехзеренной, образованной двумя когерентными плоскостями двойникования первого порядка и одной границей двойникования второго порядка, до полной цикличес
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента