|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ ИЗ РАСПЛАВА |  |
Номер публикации патента: 2241079 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/00 C30B015/14 C30B029/06 | | Аналоги изобретения: | RU 2102539 С1, 20.01.1998. JP 57-183396 А, 11.11.1982. SU 1231360 А1, 15.05.1986. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "Луч" (RU) | | Изобретатели: | Алексеев С.В. (RU)
Баташов М.В. (RU)
Макеев Х.И. (RU)
Макеев М.Х. (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "Луч" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения кремния для полупроводниковой промышленности методом Чохральского. Сущность изобретения: устройство для выращивания монокристалла кремния из расплава содержит камеру с отверстиями для эвакуации газового потока, в которой размещены тигель для расплава, расположенный в подставке на штоке, верхний газонаправляющий экран, формирующий газовый поток над расплавом, и нагреватель.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента