|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2241792 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/36 C30B015/20 | | Аналоги изобретения: | RU 2128250 C1, 27.03.1999. DE 3329308 A1, 28.02.1985. JP 57-17494 A, 29.01.1982. JP 62-158188 A, 29.01.1982. |
| Имя заявителя: | ООО МНПП "Кристалл" (RU),Смирнов Юрий Мстиславович (RU),Колесников Александр Игоревич (RU),Каплунов Иван Александрович (RU) | | Изобретатели: | Смирнов Ю.М. (RU)
Колесников А.И. (RU)
Каплунов И.А. (RU) | | Патентообладатели: | ООО МНПП "Кристалл" (RU)
Смирнов Юрий Мстиславович (RU)
Колесников Александр Игоревич (RU)
Каплунов Иван Александрович (RU) |
Реферат | |
Изобретение предназначено для выращивания из расплавов монокристаллов методом Чохральского. Сущность изобретения: выращивание осуществляют с программированием процесса роста по скоростям вращения тигля и затравки, при этом процесс вытягивания монокристалла ведут под углом b к вертикали, соответствующей заданному кристаллографическому направлению, причем величина угла b определяется условием 0,2 arcsin (h/d)b0,8 arcsin (h/d), где d - диаметр кристалла; h - капиллярная постоянная, ; - поверхностн
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента