На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ | |
Номер публикации патента: 2248418 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | C30B015/36 C30B015/04 | Аналоги изобретения: | RU 2157552 С2, 10.10.2000. RU 2191853 C2, 27.10.2002. RU 2088701 C1, 27.08.1997. |
Имя заявителя: | НИИ Российский центр лазерной физики (RU) | Изобретатели: | Габриелян В.Т. (RU) Денисов А.В. (RU) Грунский О.С. (RU) | Патентообладатели: | НИИ Российский центр лазерной физики (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов соединений, обладающих высокой упругостью паров над расплавом в условиях роста при нормальном атмосферном давлении методом Чохральского. Сущность изобретения: способ состоит из 2 стадий, включающих выращивание легированных кристаллов, из которых изготавливаются заготовки затравок в виде диска заданного диаметра толщиной порядка 5-6 мм для последующего выращивания номинально чистых кристаллов.
|