На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА МЕТОДОМ АМОСОВА | |
Номер публикации патента: 2261297 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | C30B015/00 C30B015/14 C30B015/20 | Аналоги изобретения: | DD 290226 А, 23.05.1991. RU 2056463 C1, 20.03.1996. US 3798007 А, 19.03.1974. US 4645560 А, 24.02.1987. |
Имя заявителя: | Амосов Владимир Ильич (RU) | Изобретатели: | Амосов В.И. (RU) | Патентообладатели: | Амосов Владимир Ильич (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов из расплавов на затравочный кристалл и может быть использовано для выращивания монокристаллов различного химического состава, например, типа А2В6 и А3В5, а также монокристаллов тугоплавких оксидов, например, сапфира. Сущность изобретения: в способе получения монокристаллов выращиванием из расплава, включающем расплавление исходного материала и вытягивание монокристалла кристаллизацией расплава на затравочном кристалле с регулируемым от
|