На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ДИАМЕТРА КРИСТАЛЛА В РОСТОВОЙ УСТАНОВКЕ | |
Номер публикации патента: 2261298 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | C30B015/26 | Аналоги изобретения: | RU 2176689 С2, 10.12.2001. US 5961716 А, 05.10.1999. US 6030451 А, 29.02.2000. |
Имя заявителя: | Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской Академии наук (ИАиЭ СО РАН) (RU) | Изобретатели: | Михляев С.В. (RU) | Патентообладатели: | Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской Академии наук (ИАиЭ СО РАН) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для измерения диаметра кристалла и уровня расплава в зоне кристаллообразования. Сущность изобретения: Способ изобретения осуществляют с помощью двух измерителей, установленных под разными углами к вертикали в вертикальной плоскости, пересекающей поверхность расплава, при этом формируют два двумерных изображения границы между кристаллом и расплавом, находят на изображениях и определяют координаты по крайней мере одной
|